In dem geplanten Schwerpunkt sollen durch intensive Zusammenarbeit von theoretischen, experimentellen und materialorientierten Gruppen die physikalischen Grundlagen für eine zukünftige Halbleiterelektronik unter Verwendung des Freiheitsgrades "Spin" erforscht wer- den. Der Schwerpunkt dient der koordinierten Zusammenführung mehrerer, bisher weitgehend getrennter Wissenschaftsdisziplinen. In der ersten Phase des Schwerpunktes liegt der Fokus auf der Kombination von Theorie, Experimentalphysik und Materialwissenschaften, um die Grundlagen für spintronische Bauelemente zu legen. In der zweiten Hälfte des Schwerpunktes soll neben der Grundlagenforschung die ingenieurwissenschaftliche Komponente - die in der ersten Hälfte des Schwerpunktes beispielsweise durch Herrn Prof. Osten vertreten sein wird - gestärkt werden, um ein größeres Gewicht auf die Entwicklung neuartiger Bauelemente und quantenmechanischer Schaltungsstrukturen zu legen. Zu einer besseren Strukturierung des Antrages sind die wissenschaftlichen Ziele und das Arbeitsprogramm in die gleichen Themenkomplexe aufgeteilt. Inhaltlich sind die aufgelisteten wissenschaftlichen Ziele natürlich deutlich miteinander verzahnt.
Spininjektion
Die Injektion von spinpolarisierten Elektronen oder die lokale
Polarisation ist eine
Grundvoraussetzung für eine zukünftige Spintronik. Das Ziel im Rahmen
dieses Schwerpunktes ist die effiziente, elektrische
Spinausrichtung im Halbleiter bei Raumtemperatur.
Spintransport
Die Spin-Bahn-Wechselwirkung wird in der Spintronik zur gezielten
Manipulation des
Spins ausgenutzt. Gleichzeitig ist die Spin-Bahn-Wechselwirkung
verantwortlich für
den Verlust der Spinorientierung beim Transport. Ziel ist ein
verbessertes Verständnis
der Spinrelaxation, um Spinrelaxationszeiten gezielt kontrollieren zu
können. Dabei stehen zum einen extrem lange Spinrelaxationszeiten im
Vordergrund, um den Verlust der
Spinorientierung beim Transport zu vermeiden. Andererseits sollen
ultra-kurze Spinrelaxationszeiten erforscht werden, die insbesondere bei
sehr schnellen Bauelementen
interessant werden können.
Spindynamik / gezielte Manipulation
des Spins
Für viele logische und optische Spin-Bauelemente ist die gezielte
Manipulation des
Spins Grundvoraussetzung. Das Ziel ist daher, die Steuerung der
Spinorientierung über
elektrische oder optische Signale reproduzierbar zu beherrschen.
Spin-Spin-Wechselwirkung
Die meisten spintronischen Bauelemente werden nicht mit einzelnen Spins
arbeiten. Die
Spin-Spin-Wechselwirkung spielt daher eine wichtige Rolle. Ein
detailliertes Verständnis der Elektron-Kern-Spinwechselwirkung ist
wichtig, da die Hyperfeinwechselwirkung
zu einer Ausrichtung der Kernspins und zu einer deutlichen Beeinflussung
der Elektronenspindynamik / -relaxation beitragen kann. Das Verständnis
der Wechselwirkung
zwischen Elektronenspins ist wichtig, um die Ausrichtung von
Elektronenspins im Halbleiter in der Nähe von magnetischen Domänen
(Proximity-Effekt) nutzen zu können
und die Gruppengeschwindigkeit in Spinsystemen zu verstehen.
Spin-elektronische und
Spin-optoelektronische Bauelemente
Derzeit konzentrieren sich weltweit die meisten Aktivitäten auf die
physikalischen Grund-
lagen der Spintronik. Ziel dieses Schwerpunktes soll zusätzlich die
Entwicklung neuartiger Konzepte für spintronische Bauelemente sein.
Insbesondere sollen auch komplexere
Logikschaltungen entwickelt werden, bei denen beispielsweise die
Spin-Information innerhalb des ganzen Schaltungskreises kohärent
erhalten bleibt und die Spin-Ladungsumwandlung nach außen verlegt wird.
Spin-Quanteninformationsverarbeitung
Der Spin-Quantencomputer wäre das ultimative spintronische Bauelement.
Ziel dieses Schwerpunktes ist, eine Schnittstelle zur aktuellen
Quantencomputer-Forschung
herzustellen, Konzepte für Spin-Quantengatter auf Halbleiterbasis zu
entwickeln und
vorhandene Konzepte der Quanteninformationsverarbeitung auf einfache,
quantenmechanische Spintronik-Bauelemente zu übertragen.
Derzeit sind keine Termine gesetzt.
J. L. Cheng, M. W. Wu, and J. Fabian: "Theory of the spin relaxation of conduction electrons in silicon" Phys. Rev. Lett. 104, 016601 (2010)
P.S. Eldridge, J. Hübner, S. Oertel, R.T. Harley, M. Henini, and M. Oestreich: "Spin-orbit fields in asymmetric (001)-oriented GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells" Physical Review B (Rapid Comm.) 83, 041301(R) (2011)
J. Karch et al.: "Dynamic Hall Effect Driven by Circularly Polarized Light in a Graphene Layer" Phys. Rev. Lett. 105, 227402 (2010)